公开(公告)号：CN119340274A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410199083.5

申请日：2024-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄奎一 ,  金敏奎 ,  金中善 ,  韩平和

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/552 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

Abstract: 公开了半导体封装件。所述半导体封装件包括下再分布衬底、上再分布衬底以及位于所述下再分布衬底与所述上再分布衬底之间的半导体芯片。所述下再分布衬底包括下电介质结构、被所述下电介质结构围绕的下再分布图案以及被所述下电介质结构围绕并且围绕所述下再分布图案的下屏蔽结构。所述上再分布衬底包括上电介质结构、被所述上电介质结构围绕的上再分布图案以及被所述上电介质结构围绕并且围绕所述上再分布图案的上屏蔽结构。

公开(公告)号：CN115483202A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210661714.1

申请日：2022-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金中善

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括在第一再分配基板上并具有第一侧壁的半导体器件，以及覆盖半导体器件和第一再分配基板的模层。第一再分配基板包括第一再分配电介质层、在第一再分配电介质层上并与半导体器件和模层重叠的第一增强图案、以及穿透第一再分配电介质层并接触第一增强图案的第一和第二接合焊盘。第二接合焊盘在第一方向上与第一接合焊盘间隔开。第一接合焊盘在与第一方向正交的第二方向上具有第一宽度。当在平面图中观察时，第一增强图案与第一侧壁重叠并且在第二方向上具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。