公开(公告)号：CN105590899B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201510736964.7

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  金丁汉

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H03K3/356156

Abstract: 一种半导体集成电路。第一有源区域和第二有源区域采用不同类型的杂质掺杂，沿着第一方向延伸并且在第二方向上彼此分隔开。位于第一有源区域以及隔离层的第一有源区域和第二有源区域之间的第一部分上的第一栅极结构和第三栅极结构沿着第二方向延伸并且在第一方向彼此分隔开。位于第二有源区域和第一部分上的第二栅极结构和第四栅极结构沿着第二方向延伸并且在第一方向上彼此分隔开，第二栅极结构在第二方向上与第一栅极结构面对并且分隔开，第四栅极结构在第二方向上与第三栅极结构面对并且分隔开。第一接触件至第四接触件分别位于第一栅极结构至第四栅极结构的一部分上。第一接触件和第四接触件彼此电连接，第二接触件和第三接触件彼此电连接。

公开(公告)号：CN105590899A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510736964.7

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  金丁汉

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H03K3/356156 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体集成电路。第一有源区域和第二有源区域采用不同类型的杂质掺杂，沿着第一方向延伸并且在第二方向上彼此分隔开。位于第一有源区域以及隔离层的第一有源区域和第二有源区域之间的第一部分上的第一栅极结构和第三栅极结构沿着第二方向延伸并且在第一方向彼此分隔开。位于第二有源区域和第一部分上的第二栅极结构和第四栅极结构沿着第二方向延伸并且在第一方向上彼此分隔开，第二栅极结构在第二方向上与第一栅极结构面对并且分隔开，第四栅极结构在第二方向上与第三栅极结构面对并且分隔开。第一接触件至第四接触件分别位于第一栅极结构至第四栅极结构的一部分上。第一接触件和第四接触件彼此电连接，第二接触件和第三接触件彼此电连接。