公开(公告)号：CN114079426A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110829811.2

申请日：2021-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭哲均 ,  孙祥源 ,  吕思壮 ,  于晓华

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213

Abstract: 公开了一种具有关闭模式高阻抗的24GHZ至30GHZ宽带CMOS功率放大器。一种用于功率放大器阻抗匹配的宽带匹配网络，其中，所述宽带匹配网络包括：功率放大器晶体管，被连接到输出网络；所述输出网络，包括：串联电容器；片上变压器，被串联连接到所述电容器，其中，所述变压器和所述电容器用作二阶滤波器；以及端口，被连接到所述电容器和接收器开关。

公开(公告)号：CN118554929A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410021714.4

申请日：2024-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈颖 ,  郭哲均 ,  T·常

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567

Abstract: 提供了一种单刀单掷(SPST)射频(RF)开关，其包括串联堆叠的一个或多个开关，以及在一个或多个开关之前的串联设置在SPST RF开关的输入侧的第一电容器。SPST RF开关还包括并联设置在一个或多个开关两端的第二电容器，以及在一个或多个开关之后的串联设置在SPST RF开关的输出侧的电感器。