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公开(公告)号：CN105577133A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510526611.4
申请日：2015-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F3/193 , H03F3/45188 , H03F2200/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/546 , H03F2203/45464 , H03F2203/45466 , H03F2203/45548
Abstract: 提供一种用于载波聚合和非载波聚合的低噪声放大器。所述低噪声放大器包括：多个对称半电路；多个偏置电路，其中所述多个偏置电路中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个；多个电容，其中所述多个电容中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个以便交流AC耦合包含至少一个分量载波的RF信号；以及控制逻辑电路，连接到所述多个对称半电路中的每一个以便将低噪声放大器配置为处理一个分量载波或多个分量载波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113765526B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110457605.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/00
Abstract: 提供一种频带切换巴伦，具体地，一种频带切换网络包括双频带巴伦和开关网络。双频带巴伦包括第一平衡输出和第二平衡输出。所述开关网络包括第一开关和第二开关，其中，第一开关的输入耦合到第一平衡输出，并且第二开关的输入耦合到第二平衡输出。双频带巴伦还包括初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈，其中，第一次级线圈耦合到第一平衡输出，并且第二次级线圈耦合到第二平衡输出。在一个实施例中，初级线圈和第一次级线圈通过第一耦合因子k1耦合，并且初级线圈和第二次级线圈通过不同于第一耦合因子k1的第二耦合因子k2耦合。
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公开(公告)号：CN113765526A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110457605.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/00
Abstract: 提供一种频带切换巴伦，具体地，一种频带切换网络包括双频带巴伦和开关网络。双频带巴伦包括第一平衡输出和第二平衡输出。所述开关网络包括第一开关和第二开关，其中，第一开关的输入耦合到第一平衡输出，并且第二开关的输入耦合到第二平衡输出。双频带巴伦还包括初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈，其中，第一次级线圈耦合到第一平衡输出，并且第二次级线圈耦合到第二平衡输出。在一个实施例中，初级线圈和第一次级线圈通过第一耦合因子k1耦合，并且初级线圈和第二次级线圈通过不同于第一耦合因子k1的第二耦合因子k2耦合。
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公开(公告)号：CN113765500A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110598818.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子电路和方法。该电子电路包括：同相(I)正交(Q)放大器，包括I共源共栅分支和Q共源共栅分支，IQ放大器配置为接收差分输入信号和控制信号、基于控制信号控制I共源共栅分支中的栅极电压和Q共源共栅分支中的栅极电压、用I共源共栅分支生成I输出信号、以及用Q共源共栅分支生成Q输出信号；以及正交耦合器，配置为执行I输出信号和Q输出信号的正交求和以及生成最终的相移输出。
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公开(公告)号：CN114079426A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110829811.2
申请日：2021-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种具有关闭模式高阻抗的24GHZ至30GHZ宽带CMOS功率放大器。一种用于功率放大器阻抗匹配的宽带匹配网络，其中，所述宽带匹配网络包括：功率放大器晶体管，被连接到输出网络；所述输出网络，包括：串联电容器；片上变压器，被串联连接到所述电容器，其中，所述变压器和所述电容器用作二阶滤波器；以及端口，被连接到所述电容器和接收器开关。
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公开(公告)号：CN105577133B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201510526611.4
申请日：2015-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F3/193 , H03F3/45188 , H03F2200/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/546 , H03F2203/45464 , H03F2203/45466 , H03F2203/45548
Abstract: 提供一种用于载波聚合和非载波聚合的低噪声放大器。所述低噪声放大器包括：多个对称半电路；多个偏置电路，其中所述多个偏置电路中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个；多个电容，其中所述多个电容中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个以便交流AC耦合包含至少一个分量载波的RF信号；以及控制逻辑电路，连接到所述多个对称半电路中的每一个以便将低噪声放大器配置为处理一个分量载波或多个分量载波。
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