扇出型半导体封装件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110867418B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN201910369724.6

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括布线层和虚设层,并且具有凹入部,凹入部的底表面上设置有阻挡层;半导体芯片,设置在凹入部中,使得无效表面与阻挡层相对;第一互连结构,设置在连接焊盘上;第二互连结构,设置在最外层的布线层上;虚设结构,设置在虚设层上;包封剂,包封框架的至少一部分、半导体芯片的至少一部分、第一互连结构的至少一部分、第二互连结构的至少一部分和虚设结构的至少一部分,并且填充凹入部的至少一部分;以及连接构件,设置在框架和半导体芯片的有效表面上,并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层。虚设结构具有倾斜的侧表面。

    扇出型半导体封装件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110867418A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201910369724.6

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括布线层和虚设层,并且具有凹入部,凹入部的底表面上设置有阻挡层;半导体芯片,设置在凹入部中,使得无效表面与阻挡层相对;第一互连结构,设置在连接焊盘上;第二互连结构,设置在最外层的布线层上;虚设结构,设置在虚设层上;包封剂,包封框架的至少一部分、半导体芯片的至少一部分、第一互连结构的至少一部分、第二互连结构的至少一部分和虚设结构的至少一部分,并且填充凹入部的至少一部分;以及连接构件,设置在框架和半导体芯片的有效表面上,并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层。虚设结构具有倾斜的侧表面。

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