公开(公告)号：CN118248640A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311682035.3

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋 ,  姜芸炳 ,  金镇洙 ,  申承完 ,  张炳旭

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/00

Abstract: 一种半导体封装件包括：下重分布布线层，其具有第一区域和与第一区域相邻的第二区域并且包括第一重分布布线；半导体芯片，其在下重分布布线层的第一区域上并且电连接到第一重分布布线；密封构件，其位于下重分布布线层上在半导体芯片的侧表面上；多个垂直导电结构，其在下重分布布线层的第二区域上穿透密封构件，并且电连接到第一重分布布线；在半导体芯片上的标记图案；种子层焊盘，其在垂直导电结构的各自的端部上，该端部在密封构件的上表面被密封构件暴露；以及上重分布布线层，其在密封构件和标记图案上并且包括第二重分布布线。

公开(公告)号：CN110867418B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201910369724.6

申请日：2019-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申承完 ,  郑镐俊 ,  吴承喆

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/525

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括布线层和虚设层，并且具有凹入部，凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，设置在凹入部中，使得无效表面与阻挡层相对；第一互连结构，设置在连接焊盘上；第二互连结构，设置在最外层的布线层上；虚设结构，设置在虚设层上；包封剂，包封框架的至少一部分、半导体芯片的至少一部分、第一互连结构的至少一部分、第二互连结构的至少一部分和虚设结构的至少一部分，并且填充凹入部的至少一部分；以及连接构件，设置在框架和半导体芯片的有效表面上，并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层。虚设结构具有倾斜的侧表面。

公开(公告)号：CN110867418A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910369724.6

申请日：2019-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申承完 ,  郑镐俊 ,  吴承喆

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/525

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括布线层和虚设层，并且具有凹入部，凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，设置在凹入部中，使得无效表面与阻挡层相对；第一互连结构，设置在连接焊盘上；第二互连结构，设置在最外层的布线层上；虚设结构，设置在虚设层上；包封剂，包封框架的至少一部分、半导体芯片的至少一部分、第一互连结构的至少一部分、第二互连结构的至少一部分和虚设结构的至少一部分，并且填充凹入部的至少一部分；以及连接构件，设置在框架和半导体芯片的有效表面上，并且包括电连接到第一金属凸块和第二金属凸块的重新分布层。虚设结构具有倾斜的侧表面。