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公开(公告)号:CN118936628A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202410412215.8
申请日:2024-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J1/20 , H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本公开涉及传感器装置的校准设备及包括其的系统。传感器装置的示例校准设备包括:壳体,其通过阻挡来自外部的光来提供暗室空间;照明单元,其安装在暗室空间中并且被配置为输出特定波长带中的光;载物台,被配置为在至少一个测量位置中检测照明单元所输出的光的强度的传感器装置被安装在载物台上,载物台在暗室空间中安装在照明单元下方;以及控制装置,其被配置为接收包括传感器装置所测量的光的强度的原始数据。控制装置生成用于调节在所述至少一个测量位置处测量的光的强度的校准数据。
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公开(公告)号:CN118919439A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202410373157.2
申请日:2024-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种传感器装置包括:下衬底;上衬底,其设置在下衬底上,由与下衬底的材料不同的材料形成,并且包括设置在不同的位置中的多个光接收区域;多个光学构件,其设置在下衬底与上衬底之间,并且被构造为提供在形成在上衬底上方的空间中的等离子体中生成并且进入多个光接收区域的光的行进路径;光谱传感器,其被构造为检测通过多个光学构件中的每一个接收的预定波段中的光的强度;控制器,其被构造为通过将原始数据与多个光接收区域中的每一个进行匹配来生成包括根据波段的光的强度的原始数据。
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公开(公告)号:CN118213256A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202311638444.3
申请日:2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 郑胤松
Abstract: 一种等离子体监测系统包括:具有内部空间的腔室,该腔室被配置为在内部空间中使用等离子体在半导体基板上执行半导体工艺,并且该腔室包括光学窗口;在腔室内支撑半导体基板的基板台;在基板台上的光收集装置,该光收集装置包括主体和光收集器,主体具有穿过其的通孔,并且光收集器被配置为从等离子体收集分别入射到通孔上的光,并且将收集的光传送到光学窗口上;以及光分析装置,包括分光计,分光计被配置为从辐照到光学窗口上的每束光获得光谱,并且从光谱映射与通孔的位置相对应的等离子体的状态。
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公开(公告)号:CN119108252A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202410660903.6
申请日:2024-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 一种传感器设备包括:第一基板;第一基板上的第二基板;多个检测单元,在第一基板和第二基板之间并且被配置为从在第二基板上方的空间中形成的等离子体收集检测信息;控制器,被配置为基于由多个检测单元收集的检测信息生成表示等离子体的特性的特性数据;以及电源单元,包括射频(RF)能量采集器,该能量采集器被配置为从用于形成等离子体的RF电力产生用于多个检测单元和控制器中的至少一个的操作的电力。
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