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发明公开
测试非易失性存储器装置的方法和非易失性存储器装置审中-公开

公开(公告)号：CN117912532A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310989551.4

申请日：2023-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑然旭 , 李明雨 , 朴钟哲

IPC: G11C29/12 , G11C11/40

Abstract: 提供了测试非易失性存储器装置的方法和非易失性存储器装置。在一种测试包括第一半导体层和在第一半导体层之前形成的第二半导体层的非易失性存储装置的方法中，在第二半导体层中设置电路元件，电路元件包括页缓冲器电路和与页缓冲器电路间隔开的至少一个驱动器；通过在感测节点与所述至少一个驱动器的多个放电晶体管之间提供至少一条放电路径来模拟未连接到页缓冲器电路的非易失性存储器单元的导通状态；在页缓冲器电路中在模拟导通状态的情况下执行感测和锁存操作；以及基于通过感测和锁存操作获得的锁存值来确定页缓冲器电路是否正常操作。

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