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发明公开
半导体存储设备和操作半导体存储设备的方法审中-实审

公开(公告)号：CN114694701A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111253410.3

申请日：2021-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 , 金俊亨 , 朴晟喆 , 郑汉均 , 丁孝镇 , 河庆洙

IPC: G11C11/15 , G06F7/58

Abstract: 一种半导体存储设备包括存储单元阵列、读出放大器电路和随机码生成器。存储单元阵列被划分为沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向布置的多个子阵列块。读出放大器电路相对于存储单元阵列沿第二方向布置，并且包括多个输入/输出(I/O)读出放大器。随机码生成器基于功率稳定信号和反熔丝标志信号生成随机确定的随机码。从第一组I/O读出放大器中选择的第二组I/O读出放大器通过对主数据的数据比特进行数据加扰来执行数据I/O操作。第一组I/O读出放大器对应于通过访问地址访问的第一组子阵列块。

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