公开(公告)号：CN101881913A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010000314.3

申请日：2010-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵桐范 ,  罗东均 ,  崔容准 ,  郑宇真

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G09G3/3607 ,  G02F1/13454

Abstract: 一种液晶显示器(LCD)，包括：栅极线；多对第一数据线和第二数据线，限定多个像素区的边界并且分别设置在每个像素区的两侧；多对第一薄膜晶体管(TFT)和第二薄膜晶体管，连接至栅极线以及一对第一数据线和第二数据线；以及第一子像素电极和第二子像素电极，设置在每个像素区中并分别连接至第一TFT和第二TFT，其中像素区包括在第一方向上排列的第一像素区至第三像素区，其中第二像素区的第一TFT和第二TFT中的至少一个与第一像素区和第三像素区中的一个的第一子像素电极和第二子像素电极设置在相邻的数据线的同一侧。

公开(公告)号：CN117295329A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310634943.9

申请日：2023-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟珉 ,  朴素贤 ,  尹灿植 ,  崔东珉 ,  高承甫 ,  金孝燮 ,  裵镇国 ,  郑宇真 ,  车银京 ,  安濬爀

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528

Abstract: 可以提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构位于衬底上；下间隔物结构，所述下间隔物结构位于所述第一接触插塞结构的侧壁上；以及位线结构，所述位线结构位于所述第一接触插塞结构上，并且包括在与所述衬底的上表面基本垂直的垂直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。所述第一接触插塞结构可以包括接触所述衬底的所述上表面的导电焊盘、位于所述导电焊盘上的欧姆接触图案和位于所述欧姆接触图案上的导电填充图案。所述导电填充图案可以包括金属，并且包括具有相对大的宽度的下部和具有相对小的宽度的上部。所述下间隔物结构可以接触所述导电填充图案的侧壁。