公开(公告)号：CN112204746B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980033781.5

申请日：2019-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋润洽 ,  郑在景

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 公开了一种相变存储器，为了减轻现有的OTS的问题和缺点，所述相变存储器包括由于消除了对中间电极的需要而具有改善的密度的选择元件，并且公开了一种包括该选择元件的相变存储器元件，该相变存储器元件具有高度密集的三维架构。该相变存储器元件具有包括P型相变材料层和N型金属氧化物层的PN二极管结构。此外，该相变存储器元件包括半导体材料层，该半导体材料层借助于电极界面的肖特基二极管性质而切换到相变材料层。

公开(公告)号：CN112204746A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980033781.5

申请日：2019-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋润洽 ,  郑在景

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 公开了一种相变存储器，为了减轻现有的OTS的问题和缺点，所述相变存储器包括由于消除了对中间电极的需要而具有改善的密度的选择元件，并且公开了一种包括该选择元件的相变存储器元件，该相变存储器元件具有高度密集的三维架构。该相变存储器元件具有包括P型相变材料层和N型金属氧化物层的PN二极管结构。此外，该相变存储器元件包括半导体材料层，该半导体材料层借助于电极界面的肖特基二极管性质而切换到相变材料层。

公开(公告)号：CN110634882B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910556232.8

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在景 ,  宋润洽 ,  崔畅桓 ,  薛玹珠

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底；堆叠结构，包括交替地堆叠在基底上的栅极图案和层间绝缘膜；绝缘柱，在堆叠结构内沿基底的厚度方向延伸；多晶金属氧化物膜，在绝缘柱与堆叠结构之间沿绝缘柱的侧壁延伸；具有过渡金属的衬膜，在绝缘柱与多晶金属氧化物膜之间；以及隧道绝缘膜、电荷存储膜和阻挡绝缘膜，按次序设置在多晶金属氧化物膜与栅极图案之间。

公开(公告)号：CN115346983A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210169606.2

申请日：2022-02-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 郑在景 ,  柳民泰 ,  薛玹珠 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  赵珉熙 ,  许栽硕

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体存储器件，包括：位线，在第一方向上延伸；沟道图案，在位线上并且包括与位线接触的第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，其中，第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层中的每一个包括与位线平行的水平部分以及从水平部分竖直地突出的第一竖直部分和第二竖直部分；第一字线和第二字线，在第二氧化物半导体层的第一竖直部分与第二竖直部分之间并且在第二氧化物半导体层的水平部分上；以及栅介电图案，在沟道图案与第一字线和第二字线之间。第二氧化物半导体层的厚度大于第一氧化物半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN118263300A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311610526.7

申请日：2023-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 李升姬 ,  郑在景 ,  徐承完 ,  卓容奭 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  郑宙希

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟(In)和锌(Zn)中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构电连接至氧化物半导体层。源极结构和漏极结构中的每一个包括氧化物半导体层上的铟镓锡氧化物(IGTO)膜、IGTO膜上的导电金属氮化物膜、导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个、以及源电极和漏电极中的一个的顶表面上的顶部封盖层。

公开(公告)号：CN110634882A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910556232.8

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在景 ,  宋润洽 ,  崔畅桓 ,  薛玹珠

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底；堆叠结构，包括交替地堆叠在基底上的栅极图案和层间绝缘膜；绝缘柱，在堆叠结构内沿基底的厚度方向延伸；多晶金属氧化物膜，在绝缘柱与堆叠结构之间沿绝缘柱的侧壁延伸；具有过渡金属的衬膜，在绝缘柱与多晶金属氧化物膜之间；以及隧道绝缘膜、电荷存储膜和阻挡绝缘膜，按次序设置在多晶金属氧化物膜与栅极图案之间。