公开(公告)号：CN118263300A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311610526.7

申请日：2023-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 李升姬 ,  郑在景 ,  徐承完 ,  卓容奭 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  郑宙希

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟(In)和锌(Zn)中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构电连接至氧化物半导体层。源极结构和漏极结构中的每一个包括氧化物半导体层上的铟镓锡氧化物(IGTO)膜、IGTO膜上的导电金属氮化物膜、导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个、以及源电极和漏电极中的一个的顶表面上的顶部封盖层。