公开(公告)号：CN109727891A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811118374.8

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟镐 ,  宋钟燮 ,  郑勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种半导体封装件分离装置。半导体封装件分离装置包括：模具，其构造为支撑包括固定部分的引线框阵列，所述固定部分插入至插入凹槽中以支撑半导体封装件，所述插入凹槽至少形成在所述半导体封装件的侧表面上；和圆柱冲压机，其构造为以旋转方向旋转，所述圆柱冲压机包括弯曲突出部和封装件分离突出部，所述弯曲突出部和所述封装件分离突出部设置在所述圆柱冲压机的外圆周表面上，所述弯曲突出部构造为对所述固定部分施加压力以弯曲所述固定部分，并且所述封装件分离突出部构造为在所述固定部分已经被所述弯曲突出部弯曲的状态下对所述半导体封装件施加压力，以将所述半导体封装件与所述引线框阵列分离。

公开(公告)号：CN1983601A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610164636.5

申请日：2006-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  李钟德 ,  朴炳国 ,  郑勋

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)，其具有双栅极垂直沟道晶体管。该器件包括柱形有源图案，该柱形有源图案包括与半导体衬底接触的源区、形成在该源区上方的漏区、以及形成在该源区和漏区之间的沟道区。该有源图案设置在单元阵列区中。在该有源图案上，位线布置为沿一方向连接该漏区。在该有源图案之间，字线布置地与该位线交叉。栅极绝缘膜置于该字线和有源图案之间。

公开(公告)号：CN109727891B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201811118374.8

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟镐 ,  宋钟燮 ,  郑勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种半导体封装件分离装置。半导体封装件分离装置包括：模具，其构造为支撑包括固定部分的引线框阵列，所述固定部分插入至插入凹槽中以支撑半导体封装件，所述插入凹槽至少形成在所述半导体封装件的侧表面上；和圆柱冲压机，其构造为以旋转方向旋转，所述圆柱冲压机包括弯曲突出部和封装件分离突出部，所述弯曲突出部和所述封装件分离突出部设置在所述圆柱冲压机的外圆周表面上，所述弯曲突出部构造为对所述固定部分施加压力以弯曲所述固定部分，并且所述封装件分离突出部构造为在所述固定部分已经被所述弯曲突出部弯曲的状态下对所述半导体封装件施加压力，以将所述半导体封装件与所述引线框阵列分离。

公开(公告)号：CN100583440C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610164636.5

申请日：2006-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  李钟德 ,  朴炳国 ,  郑勋

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)，其具有双栅极垂直沟道晶体管。该器件包括柱形有源图案，该柱形有源图案包括与半导体衬底接触的源区、形成在该源区上方的漏区、以及形成在该源区和漏区之间的沟道区。该有源图案设置在单元阵列区中。在该有源图案上，位线布置为沿一方向连接该漏区。在该有源图案之间，字线布置地与该位线交叉。栅极绝缘膜置于该字线和有源图案之间。

公开(公告)号：CN1220486A

公开(公告)日：1999-06-23

申请号：CN98123102.0

申请日：1998-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑勋

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877

Abstract: 在半导体器件中形成接触的方法,利用具有好的填充特性和抗热堆积特性的掺杂多晶硅作为接触孔填料,由此改进台阶覆盖,同时形成欧姆接触,并防止接触孔填料的隆起现象。该方法包括:在具有n+型杂质区和p+型杂质区的半导体衬底上形成层间绝缘层,在对应杂质区的部分形成接触孔,在接触孔的底部上形成欧姆接触层,用掺杂多晶硅填满接触孔。