公开(公告)号：CN114942684A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210131357.8

申请日：2022-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰范 ,  沈檍树

IPC: G06F1/20 ,  G06F11/30

Abstract: 在操作存储设备的方法中，从温度传感器接收温度信息。基于温度信息交替输出至少一个功率控制信号与至少一个性能控制信号。基于至少一个功率控制信号和至少一个性能控制信号来交替地执行第一温控操作和第二温控操作。执行第一温控操作以基于至少一个功率控制信号控制存储设备中包括的热电元件的冷却性能。执行第二温控操作以基于至少一个性能控制信号来控制存储设备的工作性能的节流。

公开(公告)号：CN114554687A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111046722.7

申请日：2021-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰范 ,  黄泰会

IPC: H05K1/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/38 ,  H05K1/02

Abstract: 一种半导体模块可以包括第一PCB、至少一个第一半导体芯片、散热器和至少一个第一TEC。至少一个半导体芯片在第一PCB上。散热器可以被配置为围绕第一PCB和至少一个半导体芯片。第一TEC可以在第一PCB上以冷却来自第一PCB的热量。因此，半导体模块的性能可以不因热量而劣化。

公开(公告)号：CN114823706A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111412771.8

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰范 ,  金钟三 ,  朴世桓

IPC: H01L27/11582 ,  H01L23/38

Abstract: 提供了能够以芯片级稳定地维持工作温度的垂直非易失性存储器件、包括该存储器件的半导体封装件以及该存储器件的散热方法。该垂直非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底上限定有单元阵列区域和扩展区域；垂直沟道结构，所述垂直沟道结构形成在所述衬底上；热电器件，所述热电器件包括形成在所述衬底上的至少两个半导体柱；以及堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上。所述堆叠结构包括沿着垂直沟道结构的侧壁和所述至少两个半导体柱的侧壁交替堆叠的栅电极层和层间绝缘层。所述至少两个半导体柱包括通过所述衬底上的导电层彼此电连接的n型半导体柱和p型半导体柱。

公开(公告)号：CN114945244A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111664142.4

申请日：2021-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰范

IPC: H05K1/18 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

Abstract: 一种印刷电路板(PCB)，包括：负热系数(NTC)热敏电阻，该NTC热敏电阻提供从PCB外部接收的电信号，其中，NTC热敏电阻的电阻根据负热系数而变化；以及加热图案，该加热图案从NTC热敏电阻接收电信号，其中，加热图案包括正热系数(PTC)热敏电阻，该PTC热敏电阻具有根据正热系数而变化的电阻，其中，PTC热敏电阻在第一临界温度或低于第一临界温度下具有第一热电阻系数，并在高于第一临界温度下改变为第二热电阻系数，并且NTC热敏电阻在第二临界温度或低于第二临界温度下具有第三热电阻系数，并在高于第二临界温度下改变为第四热电阻系数。

公开(公告)号：CN114944175A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111414905.X

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰范

IPC: G11B33/14

Abstract: 一种用于车辆的存储设备包括：存储装置，所述存储装置包括至少一个存储器件；第一流体管，所述第一流体管具有沿着所述存储装置的第一外表面延伸的第一部分；以及第二流体管，所述第二流体管具有沿着所述存储装置的第二外表面延伸的第二部分，所述第二外表面与所述第一外表面相对。高温的第一流体流过所述第一流体管，并且低温的第二流体流过所述第二流体管。