公开(公告)号：CN103208566A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210570042.X

申请日：2012-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金义锡 ,  方祥圭 ,  赵秀贤 ,  金秋浩 ,  池元秀

IPC: H01L33/00 ,  B23K26/36

CPC classification number: H01L21/2633 ,  H01L21/76898 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了通过使用激光烧蚀形成硅通孔的方法。所述方法包括：激光打孔，以通过将激光束照射到硅片的上表面上来形成多个凹槽；以及研磨硅片的下表面，以通过在硅片的下表面上暴露所述凹槽来形成多个硅通孔。