半导体装置、其制造方法和其操作方法

    公开(公告)号:CN110456850B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN201910361426.2

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 一种半导体装置包括:电压产生器,其产生参考电压;第一参考电流产生器,其接收参考电压并产生参考电流;非易失性存储器,其存储校准码;第一偏置电流产生器,其对参考电流进行镜像处理,以产生第一偏置电流;以及第二偏置电流产生器,其根据非易失性存储器的校准码调整参考电流,以产生第二偏置电流。

    半导体装置、其制造方法和其操作方法

    公开(公告)号:CN110456850A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910361426.2

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 一种半导体装置包括:电压产生器,其产生参考电压;第一参考电流产生器,其接收参考电压并产生参考电流;非易失性存储器,其存储校准码;第一偏置电流产生器,其对参考电流进行镜像处理,以产生第一偏置电流;以及第二偏置电流产生器,其根据非易失性存储器的校准码调整参考电流,以产生第二偏置电流。

    连续时间线性均衡器和包括其的装置

    公开(公告)号:CN116032705A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211317335.7

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 提供了一种装置、一种接收器模拟前端电路和一种连续时间线性均衡器。该装置包括接收器模拟前端电路,该接收器模拟前端电路包括由内部回环电流路径和校准电流路径共享的路径,其中接收器模拟前端电路被配置为在测试模式时利用内部回环电流路径执行内部测试,并且在正常模式时均衡第一数据信号,均衡第一数据信号的步骤包括利用校准电流路径从第一数据信号中去除偏移。

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