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发明公开
用于半导体制造装置的温度控制系统和温度控制方法审中-公开

公开(公告)号：CN118151690A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311670453.0

申请日：2023-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贤埈 , 芮尚洙 , 李玟首 , 金钟和 , 南周晔

IPC: G05D23/20

Abstract: 一种半导体制造装置的温度控制系统包括：分别存储低温加热介质和高温加热介质的第一加热介质存储装置和第二加热介质存储装置；混合装置，其包括将低温加热介质和高温加热介质以预定的混合比率混合的混合阀；以及控制装置。混合装置将混合的加热介质提供至装载部，并且将从装载部回收的回收加热介质分配至第一加热介质存储装置和第二加热介质存储装置。控制装置被配置为，通过使用表示通过装载部的加热介质的温度的参考温度与作为由混合阀输出的加热介质的温度的混合单元温度之间的关系模型对混合单元温度执行前馈控制和反馈控制，控制混合比率，使得参考温度具有目标参考温度。

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