公开(公告)号：CN112185850A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010630336.1

申请日：2020-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  尹贤埈 ,  赵光熙 ,  李济元 ,  韩珉洙 ,  金俊亨 ,  石承大

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。

公开(公告)号：CN118151690A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311670453.0

申请日：2023-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贤埈 ,  芮尚洙 ,  李玟首 ,  金钟和 ,  南周晔

IPC: G05D23/20

Abstract: 一种半导体制造装置的温度控制系统包括：分别存储低温加热介质和高温加热介质的第一加热介质存储装置和第二加热介质存储装置；混合装置，其包括将低温加热介质和高温加热介质以预定的混合比率混合的混合阀；以及控制装置。混合装置将混合的加热介质提供至装载部，并且将从装载部回收的回收加热介质分配至第一加热介质存储装置和第二加热介质存储装置。控制装置被配置为，通过使用表示通过装载部的加热介质的温度的参考温度与作为由混合阀输出的加热介质的温度的混合单元温度之间的关系模型对混合单元温度执行前馈控制和反馈控制，控制混合比率，使得参考温度具有目标参考温度。