公开(公告)号：CN101329896B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810144604.8

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千权数 ,  罗炳旭

IPC: G11C8/10 ,  G11C8/18

CPC classification number: G11C8/06 ,  G11C5/147 ,  G11C7/20 ,  G11C8/10 ,  G11C11/40 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/4072

Abstract: 一种半导体存储设备，包括行路径电路、重置信号产生电路和列路径电路。响应于上电信号初始化行路径电路。重置信号产生电路延迟上电信号从而产生列重置信号。响应列重置信号初始化列路径电路。该半导体存储设备可以通过在不同的时间点初始化行路径电路和列路径电路来减小浪涌电流的峰值。因此，该半导体存储设备可以具有相对短的内部电源电压设置时间。

公开(公告)号：CN101329896A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810144604.8

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千权数 ,  罗炳旭

IPC: G11C8/10 ,  G11C8/18

CPC classification number: G11C8/06 ,  G11C5/147 ,  G11C7/20 ,  G11C8/10 ,  G11C11/40 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/4072

Abstract: 一种半导体存储设备，包括行路径电路、重置信号产生电路和列路径电路。响应于上电信号初始化行路径电路。重置信号产生电路延迟上电信号从而产生列重置信号。响应列重置信号初始化列路径电路。该半导体存储设备可以通过在不同的时间点初始化行路径电路和列路径电路来减小浪涌电流的峰值。因此，该半导体存储设备可以具有相对短的内部电源电压设置时间。