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发明公开
预测EUV剂量的方法、设计光生酸剂的方法及制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119439633A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410933794.0

申请日：2024-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智英 , 金大建 , 白昇烈 , 宋知永 , 宋炫知 , 阮成绩 , 洪锡九

IPC: G03F7/20 , G06F18/27 , H01L21/027

Abstract: 本公开的实施例提供了一种预测极紫外剂量的方法、一种设计光生酸剂的方法和一种制造半导体器件的方法。在预测极紫外剂量的方法中，可以分析在极紫外曝光下光生酸剂分子从光生酸剂阳离子到释放质子的整个光化学反应机制。可以通过针对光生酸剂阳离子的结构优化执行模拟来获得最低未占分子轨道能级。可以通过针对由整个光化学反应机制形成的至少一个中间分子结构的结构优化执行模拟来获得与最低未占分子轨道能级不同的附加参数。可以基于最低未占分子轨道能级和附加参数来获得用于预测极紫外剂量的双参数线性回归模型。

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