公开(公告)号：CN118042839A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310980276.X

申请日：2023-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申载厚 ,  曺溶成 ,  边大锡

IPC: H10B43/27 ,  G11C5/06 ,  G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H10B43/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50

Abstract: 提供包括页缓冲器电路的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及页缓冲器电路，包括多个页缓冲器单元，所述多个页缓冲器单元通过多条位线分别与所述多个存储器单元连接。感测节点连接到每个缓冲器电路的位线。所述多个页缓冲器单元分别与感测节点连接，所述多个页缓冲器单元中的每个包括至少一个晶体管。感测节点附近的一条或多条辅助布线用于减少由感测节点的低电容导致的耦合问题。

公开(公告)号：CN117594099A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310873740.5

申请日：2023-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  姜仁昊 ,  金寅洙 ,  申载厚

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G06F12/0877

Abstract: 一种包括页缓冲器电路的存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器单元和多个高速缓存锁存器，所述多个页缓冲器单元分别经由多条位线连接到所述多个存储单元，所述多个高速缓存锁存器分别对应于所述多个页缓冲器单元。所述多个页缓冲器单元均包括传输晶体管，所述传输晶体管连接到对应的感测节点并且根据传输控制信号被驱动，并且所述存储器件被配置为使得：在数据感测时段内，所述多个页缓冲器单元当中的选定页缓冲器单元的感测节点有效地连接到所述多个页缓冲器单元当中的未选页缓冲器单元的感测节点。

公开(公告)号：CN118866064A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410399347.1

申请日：2024-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许旻晶 ,  申载厚 ,  边大锡 ,  曹溶成

IPC: G11C29/44 ,  G11C29/42 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12

Abstract: 提供了非易失性存储器件、操作其的方法和存储装置。非易失性存储器件包括：多个三态锁存器；感测节点电路，感测节点电路被配置为将其中的感测节点电耦接到非易失性存储器件的位线；传输节点电路，传输节点电路被配置为将其中的传输节点电耦接到多个三态锁存器；以及节点连接电路，节点连接电路被配置为将传输节点电连接到感测节点。另外，传输节点电路和节点连接电路被共同配置为：响应于转储序列操作，将存储在多个三态锁存器中的至少两个三态锁存器中的数据同时反映给感测节点。

公开(公告)号：CN118733489A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311723667.X

申请日：2023-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李强敏 ,  申载厚 ,  边大锡 ,  曹溶成

IPC: G06F12/0877

Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括页缓冲器、控制信号生成器和电流镜。页缓冲器可以连接到位线，并且可以响应于第一控制信号和第二控制信号来允许复制电流流过接地端子。控制信号生成器可以将第一控制信号和第二控制信号输出到页缓冲器。电流镜可以在虚拟单元模式下输出对应于偏置电流的控制电压。控制电压可以对应于第一控制信号。