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发明公开
半导体装置以及制造半导体装置的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119317105A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410738971.X

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 , 金成禹 , 申贤舒 , 赵珉晶 , 崔民洙

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体装置以及制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括：设置基底；在基底上形成目标膜、第一掩模膜、第二掩模膜和上掩模图案；形成第一间隔件图案，第一间隔件图案包括第一线部分、第二线部分以及将第一线部分和第二线部分连接的折叠部分；形成部分地覆盖第一间隔件图案的缝隙掩模图案；通过使用缝隙掩模图案和第一间隔件图案作为蚀刻掩模对第二掩模膜进行图案化来形成第一掩模图案；形成第二间隔件图案；通过使用第二间隔件图案作为蚀刻掩模对第一掩模膜进行图案化来形成第二掩模图案；以及通过使用第二掩模图案作为蚀刻掩模对目标膜进行图案化来形成多个目标图案。

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