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公开(公告)号：CN112309475A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010533633.4
申请日：2020-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/20 , G11C16/04 , G06F12/0882 , G06F3/06
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器设备和控制其初始化方法。一种方法包括：执行第一感测操作，以感测存储在第一存储器面的第一存储器单元中的写入设置数据，并将第一读取设置数据存储在第一存储器面的第一页缓冲器电路中；执行第二感测操作，以感测存储在第二存储器面的第二存储器单元中的写入设置数据，并将第二读取设置数据存储在第二存储器面的第二页缓冲器电路中；以及执行转储操作，以基于第一读取设置数据和第二读取设置数据将与写入设置数据对应的恢复设置数据存储在缓冲器中。
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