-
公开(公告)号：CN1760754A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510108599.1
申请日：2005-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/0279
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成材料层，在材料层上形成掩模层，以及将氮离子注入掩模层中，以减小其光吸收。在材料层和衬底之间可以形成对准键，以及可以通过注入的掩模层光学地确定对准键的位置。注入的掩模层可以被构图，以限定掩模图形，以及可以使用掩模图形作为刻蚀掩模，构图材料层。还论述了相关器件。
Search Results
1
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
