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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101145396A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710170119.3
申请日：2007-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 牟炫宣
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C2211/5621
Abstract: 提供了编程多位非易失性存储器设备的方法。多位非易失性存储器设备包括具有多个存储单元的存储单元阵列和电耦合至存储单元阵列的存储部件。将多位数据的第一位(FB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。利用数据反相将多位数据的第二位(SB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。还提供了相关的存储器设备。
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公开(公告)号：CN101013598B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710007943.7
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/18 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括3电平非易失性存储单元的存储器阵列。所述存储器阵列包括分别连接到第一偶位线和第一奇位线的存储单元的第一偶串和奇串，和分别连接到第二偶位线和第二奇位线的存储单元的第二偶串和奇串。第一偶位线和第一奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第一公共位线，并且第二偶位线和第二奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第二公共位线。该器件使用对应于3电平非易失性存储单元的3个阈值电压分布的数据的3个位来编程和读取存储单元对中的数据。
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公开(公告)号：CN101145396B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200710170119.3
申请日：2007-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 牟炫宣
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C2211/5621
Abstract: 提供了编程多位非易失性存储器设备的方法。多位非易失性存储器设备包括具有多个存储单元的存储单元阵列和电耦合至存储单元阵列的存储部件。将多位数据的第一位(FB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。利用数据反相将多位数据的第二位(SB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。还提供了相关的存储器设备。
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公开(公告)号：CN101131870A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710138500.1
申请日：2007-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C16/04 , G11C29/76 , G11C2229/723
Abstract: 公开了一种半导体存储器设备，其包括：多个存储器块，每个存储器块被分段为主区和备用区；以及存储所述存储器块的块信息的块信息存储区。
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公开(公告)号：CN101013598A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710007943.7
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/18 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括3电平非易失性存储单元的存储器阵列。所述存储器阵列包括分别连接到第一偶位线和第一奇位线的存储单元的第一偶串和奇串，和分别连接到第二偶位线和第二奇位线的存储单元的第二偶串和奇串。第一偶位线和第一奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第一公共位线，并且第二偶位线和第二奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第二公共位线。该器件使用对应于3电平非易失性存储单元的3个阈值电压分布的数据的3个位来编程和读取存储单元对中的数据。
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