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公开(公告)号：CN101159168B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710004057.9
申请日：2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括存储单元阵列和命令接口，所述命令接口被配置成从半导体存储器件的外部接收命令。命令接口还被配置成解释所接收的命令，并且确定所接收的命令是否是连续操作命令。命令接口输出与命令相对应的命令信号，以及至少一个标记信号，如果命令是连续操作命令，则所述标记信号表示连续操作时间段。控制单元被配置成接收从命令接口输出的命令信号和至少一个标记信号，并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号。电荷泵被配置成响应于泵控制信号，产生供存取存储单元阵列以读、写、和/或擦除数据之用的电压。
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公开(公告)号：CN102456406A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110344857.1
申请日：2011-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K19/0005 , G11C5/063 , G11C7/1057 , G11C7/1084
Abstract: 非易失性存储器件包括：片内终结电路，其与输入/输出电路相连；以及，片内终结控制逻辑，其基于命令和控制信号检测选通信号的前同步信号，并在前同步信号时段内激活片内终结。
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公开(公告)号：CN102651237B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210047778.9
申请日：2012-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/30 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/3436
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。
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公开(公告)号：CN101131870A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710138500.1
申请日：2007-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C16/04 , G11C29/76 , G11C2229/723
Abstract: 公开了一种半导体存储器设备，其包括：多个存储器块，每个存储器块被分段为主区和备用区；以及存储所述存储器块的块信息的块信息存储区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107256718B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710229623.X
申请日：2012-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。
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公开(公告)号：CN107256718A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710229623.X
申请日：2012-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/30 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/3436
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。
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公开(公告)号：CN1744230A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510084910.3
申请日：2005-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C7/00 , G11C29/00
CPC classification number: G11C29/808 , G11C29/806
Abstract: 半导体存储设备包括其中具有多个多列存储块的存储阵列和多列冗余存储块。提供了冗余列选择单元，其被配置成响应于列地址将从多列冗余存储块读取的数据路由到冗余数据线。还提供了数据输入/输出单元。数据输入/输出单元连接到冗余数据线和与存储阵列中有缺陷的列相关联的数据线。数据输入/输出单元被配置成通过将从多列冗余存储阵列中所选择的冗余列读取的第一数据路由到输入/输出总线同时阻止从有缺陷的列读取的数据被传送到输入/输出总线来对从存储阵列中的有缺陷的列读取第一数据的指令做出响应。
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公开(公告)号：CN102456406B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201110344857.1
申请日：2011-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K19/0005 , G11C5/063 , G11C7/1057 , G11C7/1084
Abstract: 非易失性存储器件包括：片内终结电路，其与输入/输出电路相连；以及，片内终结控制逻辑，其基于命令和控制信号检测选通信号的前同步信号，并在前同步信号时段内激活片内终结。
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