-
公开(公告)号：CN1772842A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510120297.6
申请日：2005-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , H01L21/311
CPC classification number: C09K13/08 , H01L21/31111
Abstract: 本发明公开一种用于蚀刻基底上的低－k电介质层的蚀刻溶液，该溶液包含有效比例的用于氧化低－k电介质层的氧化剂及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。利用该蚀刻溶液，通过单步骤处理工艺，可容易地除去低－k电介质层。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
