公开(公告)号：CN110137143A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201811395470.7

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹成永 ,  赵容祥 ,  河相守

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体芯片，包括栅极结构，半导体芯片具有第一区域和围绕第一区域的侧边的第二区域；第一焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含第一重量百分比的银；第二焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含大于第一重量百分比的第二重量百分比的银；以及第三焊球，位于半导体芯片的第二区域上，并包含小于第一重量百分比的第三重量百分比的银。

公开(公告)号：CN110137143B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201811395470.7

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹成永 ,  赵容祥 ,  河相守

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体芯片，包括栅极结构，半导体芯片具有第一区域和围绕第一区域的侧边的第二区域；第一焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含第一重量百分比的银；第二焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含大于第一重量百分比的第二重量百分比的银；以及第三焊球，位于半导体芯片的第二区域上，并包含小于第一重量百分比的第三重量百分比的银。

公开(公告)号：CN110034084A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811425192.5

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河相守 ,  金建来 ,  朴哲贤 ,  白寅学 ,  申尚澈

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种包括具有柱结构的高可靠性凸块结构的半导体器件。该半导体器件包括：衬底；连接焊盘，位于所述衬底上；以及凸块结构，位于所述连接焊盘上，其中，所述凸块结构包括：柱结构，具有侧壁和上表面，金属保护膜，包括位于所述柱结构的侧壁上的第一部分以及位于所述柱结构的上表面上的第二部分，以及焊料层，位于所述金属保护膜的第二部分上。