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公开(公告)号：CN109979511B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811609370.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作非易失性存储器装置的方法以及擦除数据的方法。一种操作存储器装置的方法包括：响应于指向多个子块内的选择的子块的擦除命令，对其中包括所述多个子块的存储器块内的至少一个牺牲子块执行数据读取操作。然后，对所述至少一个牺牲子块执行软编程操作。该软编程操作之后跟随着擦除所述多个子块内的选择的子块的操作。该擦除选择的子块的操作可包括：向存储器块在其上延伸的基底的体区域提供擦除电压，所述至少一个牺牲子块可被设置在选择的子块与基底之间。
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公开(公告)号：CN110310955A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811415269.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供了一种具有多个垂直沟道结构的三维(3D)存储器件。所述三维存储器件包括：第一存储块、第二存储块和位线。所述第一存储块包括在相对于衬底的表面的垂直方向上延伸的第一垂直沟道结构。所述第二存储块包括在所述垂直方向上位于所述第一垂直沟道结构上的第二垂直沟道结构，以及沿第一水平方向延伸并在所述垂直方向上偏移的第一串选择线和第二串选择线。所述位线在所述第一存储块与所述第二存储块之间沿所述第一水平方向延伸，并且由所述第一存储块和所述第二存储块共享。所述第二存储块可以包括都连接到所述位线和所述第一串选择线并且具有彼此不同的阈值电压的第一串选择晶体管和第二串选择晶体管。
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公开(公告)号：CN110310955B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201811415269.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有多个垂直沟道结构的三维(3D)存储器件。所述三维存储器件包括：第一存储块、第二存储块和位线。所述第一存储块包括在相对于衬底的表面的垂直方向上延伸的第一垂直沟道结构。所述第二存储块包括在所述垂直方向上位于所述第一垂直沟道结构上的第二垂直沟道结构，以及沿第一水平方向延伸并在所述垂直方向上偏移的第一串选择线和第二串选择线。所述位线在所述第一存储块与所述第二存储块之间沿所述第一水平方向延伸，并且由所述第一存储块和所述第二存储块共享。所述第二存储块可以包括都连接到所述位线和所述第一串选择线并且具有彼此不同的阈值电压的第一串选择晶体管和第二串选择晶体管。
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公开(公告)号：CN109979511A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811609370.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作非易失性存储器装置的方法以及擦除数据的方法。一种操作存储器装置的方法包括：响应于指向多个子块内的选择的子块的擦除命令，对其中包括所述多个子块的存储器块内的至少一个牺牲子块执行数据读取操作。然后，对所述至少一个牺牲子块执行软编程操作。该软编程操作之后跟随着擦除所述多个子块内的选择的子块的操作。该擦除选择的子块的操作可包括：向存储器块在其上延伸的基底的体区域提供擦除电压，所述至少一个牺牲子块可被设置在选择的子块与基底之间。
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