公开(公告)号：CN100573725C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510118735.5

申请日：2005-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟亨

IPC: G11C29/00 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C29/46

Abstract: 提供了一种半导体存储设备的测试模式进入(entry)的电路和方法。在使半导体存储设备进入测试模式的方法中，当满足第一条件时，响应外部时钟而产生内部时钟。基于第一地址组合和内部时钟而产生地址组合信号。使用内部时钟和地址组合信号使半导体存储设备进入测试模式。

公开(公告)号：CN1581355A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056444.3

申请日：2004-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟亨 ,  权赫准 ,  李贤奎

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/4076 ,  G11C11/4096 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/229

Abstract: 本文公开了能够在写入恢复时间(tWR)期间，通过重写最后写入数据减少数据写入错误的半导体器件和控制它的方法。该半导体器件包括由数个重复单元组成的存储单元阵列；位线放大器，用于放大存储单元阵列的位线电压和互补位线电压之间的电压差；通过列选择线信号启动的切换器件，用于分别将数据线和互补数据线与位线和互补位线电连接；和写入驱动器，用于将写入数据电压供应给数据线和互补数据线，其中，列选择线信号是在写入恢复时间期间生成的。控制该半导体器件的方法包括如下步骤：将数据电压写入存储单元阵列中；和在写入恢复时间期间生成列选择线信号。

公开(公告)号：CN1527484A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410033080.7

申请日：2004-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟亨 ,  成熹庆

IPC: H03L7/08

CPC classification number: G11C7/222 ,  G11C7/22 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4076 ,  G11C2211/4067

Abstract: 一个集成电路存储器装置的延迟锁定环电源，其供电给延迟锁定环电路，和一个控制信号发生器，其在集成电路存储器装置的刷新模式期间，根据一个选择信号，控制所述延迟锁定环电源以便选择性地供电给延迟锁定环电路。

公开(公告)号：CN1527484B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410033080.7

申请日：2004-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟亨 ,  成熹庆

IPC: H03L7/08

CPC classification number: G11C7/222 ,  G11C7/22 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4076 ,  G11C2211/4067

Abstract: 一个集成电路存储器装置的延迟锁定环电源，其供电给延迟锁定环电路，和一个控制信号发生器，其在集成电路存储器装置的刷新模式期间，根据一个选择信号，控制所述延迟锁定环电源以便选择性地供电给延迟锁定环电路。

公开(公告)号：CN1783347A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510118735.5

申请日：2005-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟亨

IPC: G11C29/00 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C29/46

Abstract: 提供了一种半导体存储设备的测试模式进入(entry)的电路和方法。在使半导体存储设备进入测试模式的方法中，当满足第一条件时，响应外部时钟而产生内部时钟。基于第一地址组合和内部时钟而产生地址组合信号。使用内部时钟和地址组合信号使半导体存储设备进入测试模式。