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公开(公告)号：CN115701217A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210321397.9
申请日：2022-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有限定沟槽的一个或多个的内表面，所述沟槽限定所述衬底的有源图案，所述沟槽包括具有不同宽度的第一沟槽和第二沟槽；器件隔离层，在所述衬底上，使得所述器件隔离层至少部分地填充所述沟槽；以及字线，与所述有源图案相交。所述器件隔离层包括：第一隔离图案，覆盖所述第二沟槽的一部分；第二隔离图案，在所述第一隔离图案上，并覆盖所述第二沟槽的剩余部分；以及填充图案，填充在字线下方的所述第一沟槽。所述第二隔离图案的顶表面位于比所述填充图案的顶表面高的水平处。
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