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公开(公告)号：CN104979476B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510013024.5
申请日：2015-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机光电子器件和图像传感器。有机光电子器件包括彼此面对的阳极和阴极、以及在所述阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包括作为可见光吸收体的由化学式1表示的化合物、以及空穴缓冲材料和电子缓冲材料的至少一种，所述空穴缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阳极的功函和由化学式1表示的化合物的HOMO能级之间的HOMO能级，所述电子缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阴极的功函和由化学式1表示的化合物的LUMO能级之间的LUMO能级，化学式1中的基团R1至R12和X定义在说明书中。
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公开(公告)号：CN107546327B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201710513122.4
申请日：2017-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机光电子器件、图像传感器和电子设备。所述有机光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括光电转换区域和掺杂区域的光吸收层，所述光电转换区域包括p型光吸收材料和n型光吸收材料，所述掺杂区域包括所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种以及激子猝灭剂，其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种选择性地吸收可见光的一部分，且图像传感器包括所述有机光电子器件。
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公开(公告)号：CN105261702A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510122544.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/307 , H01L25/167 , H01L27/30 , H01L27/302 , H01L33/06 , H01L51/0046 , H01L51/0068 , H01L51/008 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/447 , Y02E10/549
Abstract: 实例实施方式涉及有机光电器件和包括其的图像传感器，所述有机光电器件包括第一电极、在所述第一电极上并且包括第一p型光吸收材料和第一n型光吸收材料的光吸收层、在所述光吸收层上并且包括具有比所述光吸收层的半宽度(FWHM)小的FWHM的第二p型光吸收材料或第二n型光吸收材料的光吸收辅助层、在所述光吸收辅助层上的电荷辅助层、和在所述电荷辅助层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN100481536C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510068540.4
申请日：2005-03-14
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01S5/3211 , H01S5/32341
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件和制造该器件的方法。该发光器件包括一个衬底，和在该衬底上依次形成的n型覆层、有源层、p型覆层、网格单元层和欧姆接触层。该网格单元层由埋在欧姆接触层中的尺寸小于30微米的离散的且导电的颗粒型单元构成。该氮化物基发光器件和制造该器件的方法对p型覆层上的欧姆接触特性作了改进，从而增加了器件的发光效率和使用寿命，同时由于省略去薄膜生长之后的活化工艺而简化了制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105261702B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510122544.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 实例实施方式涉及有机光电器件和包括其的图像传感器，所述有机光电器件包括第一电极、在所述第一电极上并且包括第一p型光吸收材料和第一n型光吸收材料的光吸收层、在所述光吸收层上并且包括具有比所述光吸收层的半宽度(FWHM)小的FWHM的第二p型光吸收材料或第二n型光吸收材料的光吸收辅助层、在所述光吸收辅助层上的电荷辅助层、和在所述电荷辅助层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN1677703A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510068540.4
申请日：2005-03-14
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01S5/3211 , H01S5/32341
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件和制造该器件的方法。该发光器件包括一个衬底，和在该衬底上依次形成的n型覆层、有源层、p型覆层、网格单元层和欧姆接触层。该网格单元层由埋在欧姆接触层中的尺寸小于30微米的离散的且导电的颗粒型单元构成。该氮化物基发光器件和制造该器件的方法对p型覆层上的欧姆接触特性作了改进，从而增加了器件的发光效率和使用寿命，同时由于省略去薄膜生长之后的活化工艺而简化了制造方法。
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公开(公告)号：CN103000810B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201210103761.0
申请日：2012-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4253 , H01L51/426 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。
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公开(公告)号：CN107546327A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710513122.4
申请日：2017-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/002 , H01L51/0046 , H01L51/0047 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/0064 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/4253 , H01L51/4293 , H01L51/44 , H01L2251/303 , Y02E10/549
Abstract: 公开有机光电子器件、图像传感器和电子设备。所述有机光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括光电转换区域和掺杂区域的光吸收层，所述光电转换区域包括p型光吸收材料和n型光吸收材料，所述掺杂区域包括所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种以及激子猝灭剂，其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种选择性地吸收可见光的一部分，且图像传感器包括所述有机光电子器件。
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