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公开(公告)号：CN114497377A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111261026.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42
Abstract: 公开传感器和电子设备。所述传感器包括第一和第二电极、以及在所述第一和第二电极之间的红外光电转换层，所述红外光电转换层配置成吸收在红外波长谱的至少一部分中的光并且将所吸收的光转换成电信号。所述红外光电转换层包括具有在红外波长谱中的最大吸收波长的第一材料、与所述第一材料形成pn结的第二材料、和具有比所述第一材料的能带隙大了大于或等于约1.0eV的能带隙的第三材料。所述第一材料、第二材料、和第三材料彼此不同，并且所述第一材料、第二材料、和第三材料各自为非聚合物型材料。
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公开(公告)号：CN111477692A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911042488.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0256
Abstract: 本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管或者该有机传感器的电子装置。该光电二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间的光电转换层；和在光电转换层上的补偿层，该补偿层配置为补偿光的吸收和反射。光电转换层与在第一波长处具有光吸收峰且在第二波长处具有反射峰的第一光谱相关，第一波长和第二波长都在大约750nm至大约1200nm的波长区域内。光电二极管与在第三波长处具有光吸收峰的第二光谱相关，第三波长在大约750nm至大约1200nm的波长区域内，第三波长不同于第一波长。
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公开(公告)号：CN111087406B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201911004585.3
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/04 , C07F7/10 , H10K85/10 , H10K30/20
Abstract: 公开化合物、膜、光电二极管、有机传感器、和电子设备，所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，X1、X2、Y1、Y2、Ar、L1、L2、R1、R4、和n与说明书中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116023369A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211317388.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D409/14 , C07D409/04 , H10K39/32 , H10K85/60
Abstract: 公开了化合物、膜、红外传感器和电子设备，所述化合物由化学式1表示，所述膜、红外传感器和电子设备包括所述化合物。在化学式1中，Q1、Q2、X1、X2、R1、R2和A1与说明书中相同。[化学式1]。
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公开(公告)号：CN113861177A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110736836.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D409/14 , C07D517/04 , C07D495/14 , C07D519/00 , H01L27/30 , H01L51/46
Abstract: 本发明涉及化合物、红外吸收剂、红外吸收/阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器。由化学式1表示的化合物。在化学式1中，R1至R4、R11a至R14c和n与详细的说明书中限定的相同。[化学式1]。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477692B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201911042488.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0256
Abstract: 本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管或者该有机传感器的电子装置。该光电二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间的光电转换层；和在光电转换层上的补偿层，该补偿层配置为补偿光的吸收和反射。光电转换层与在第一波长处具有光吸收峰且在第二波长处具有反射峰的第一光谱相关，第一波长和第二波长都在大约750nm至大约1200nm的波长区域内。光电二极管与在第三波长处具有光吸收峰的第二光谱相关，第三波长在大约750nm至大约1200nm的波长区域内，第三波长不同于第一波长。
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公开(公告)号：CN113690371A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110546665.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了红外吸收组合物、以及包括其的光电器件、有机传感器和电子设备。所述红外吸收组合物包括由化学式1表示的p型半导体化合物和n型半导体化合物。所述n型半导体化合物包括由化学式2A表示的化合物、由化学式2B表示的化合物、由化学式2C表示的化合物、富勒烯衍生物或其组合。所述p型半导体化合物和所述n型半导体化合物提供体异质结(BHJ)结构。
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公开(公告)号：CN113571595A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110468765.8
申请日：2021-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , G01J3/42 , G01N21/27 , G01N21/359
Abstract: 本发明公开了传感器及包括该传感器的电子装置，该传感器包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的光吸收层。光吸收层可以具有在第一红外波长区域中有第一吸收峰的第一吸收光谱以及在第二红外波长区域中有第二吸收峰的第二吸收光谱，第二红外波长区域是具有比第一红外波长区域中的波长长的波长的区域。第二吸收光谱不与第一吸收光谱至少部分地重叠。第二吸收光谱可以具有比第一吸收光谱低的吸收强度。在传感器中表现出在第二红外波长区域中放大的外部量子效率(EQE)光谱。
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公开(公告)号：CN112310285A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010320596.9
申请日：2020-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了传感器和电子装置。一种传感器包括阳极和阴极以及在阳极与阴极之间的近红外光电转换层。近红外光电转换层被配置为吸收近红外波长光谱的至少一部分的光，并将吸收的光转换成电信号。近红外光电转换层包括第一材料和第二材料，第一材料具有在近红外波长光谱中的最大吸收波长，第二材料与第一材料形成pn结并具有比第一材料的能带隙宽的能带隙。第一材料以比第二材料小的量被包括在近红外光电转换层中。
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