公开(公告)号：CN118693042A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410072943.9

申请日：2024-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金冈昱 ,  李达铉

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/50 ,  H01L23/58 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，包括多个有源区域，所述多个有源区域包括第一有源区域和与第一有源区域相邻的第二有源区域；位线，在基底上沿水平方向延伸；第一直接接触件，连接到第一有源区域；第二直接接触件，位于第一直接接触件与位线之间；内氮化物膜，连接到第一直接接触件的侧壁和第二直接接触件的侧壁；隔离膜，位于第一有源区域与第二有源区域之间；以及外氧化物膜，连接到第二有源区域的至少一个表面，并且位于内氮化物膜与第二有源区域之间。

公开(公告)号：CN117479532A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310880285.1

申请日：2023-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  金冈昱 ,  柳镐仁 ,  宋仑祜 ,  李达铉

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体存储器件和制造方法。例如，一种半导体存储器件可以包括具有彼此相邻的第一有源图案和第二有源图案的衬底，沟槽将第一有源图案和第二有源图案分开。第一有源图案包括第一源极/漏极区，第二有源图案包括第二源极/漏极区。第二源极/漏极区包括与第一源极/漏极区相邻的第一侧壁表面和第二侧壁表面以及连接第一侧壁表面和第二侧壁表面的连接表面。第二侧壁表面从第一侧壁表面相对于第一源极/漏极区向后缩进。半导体存储器件还包括在第一有源图案和第二有源图案之间的沟槽中的器件隔离层，其中器件隔离层在第二源极/漏极区的第一侧壁表面上。位线在衬底上沿第一方向延伸，位线包括电连接到第一源极/漏极区的接触部分。半导体存储器件还包括在器件隔离层上、在位线的接触部分的侧壁上以及在第二源极/漏极区的第二侧壁表面上的下间隔物。此外，半导体存储器件包括：联接到第二源极/漏极区的接触，下间隔物的一部分在接触和位线的接触部分之间；在接触上的着落垫；以及在着落垫上的数据存储元件。