执行ZQ校准的半导体存储器装置及其校准方法

    公开(公告)号:CN118280400A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311428960.3

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 提供了执行ZQ校准的半导体存储器装置及其校准方法。所述半导体存储器装置可包括:阻抗调整垫;虚设下拉驱动器和外部电阻器,并联连接在阻抗调整垫与地之间;递归码生成电路,被配置为在所述半导体存储器装置的阻抗校准操作中通过使用外部电阻器和虚设下拉驱动器作为参考电阻来递归地生成与目标电阻对应的上拉码和下拉码;码寄存器,被配置为存储生成的上拉码和下拉码;以及校准控制逻辑电路,被配置为在调整虚设下拉驱动器的电阻值的同时在阻抗校准操作中的多个步长期间控制递归码生成电路。

    存储器件、存储系统和存储器件的操作方法

    公开(公告)号:CN119673237A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411299732.5

    申请日:2024-09-18

    Abstract: 提供了存储器件、存储系统和存储器件的操作方法。存储器件包括:第一焊盘,被配置为从存储控制器接收读取使能信号;第二焊盘,被配置为从存储控制器接收读取占空比校正命令信号;第一工作时段校正电路,被配置为当接收到读取使能信号时,基于从存储控制器接收到的读取占空比校正命令信号来执行读取占空比校正操作,并且输出基于读取占空比校正操作生成的数据选通信号;以及第二工作时段校正电路,被配置为从第一工作时段校正电路接收数据选通信号,基于数据选通信号生成具有彼此不同相位的第一至第四时钟信号,并且执行写入占空比校正操作以校正具有180°相位差的第一和第三时钟信号的占空比并且校正具有180°相位差的第二和第四时钟信号的占空比。

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