公开(公告)号：CN116417508A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211663612.X

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京旭 ,  刘承勇 ,  李義福 ,  金镇南 ,  郑恩志

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

Abstract: 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：下线结构；上层间绝缘膜，其设置在下线结构上并且具有形成在其中的沟槽，其中，沟槽包括布线沟槽和从布线沟槽延伸到下线结构的穿通件沟槽；以及上线结构，其设置在沟槽中，其中，上线结构包括上势垒膜和上填充膜。上填充膜包括与上层间绝缘膜接触的第一子填充膜和设置在第一子填充膜上的第二子填充膜。第一子填充膜填充整个上穿通件沟槽并且覆盖上布线沟槽的底表面的至少一部分。

公开(公告)号：CN115692371A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210416703.7

申请日：2022-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李義福 ,  金完敦 ,  金洛焕

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：FEOL层，在基底上，包括多个单独的器件；以及第一金属层、第二金属层和第三金属层，顺序地堆叠在FEOL层上。第二金属层包括层间绝缘层和层间绝缘层中的互连线。互连线包括电连接到第一金属层的下过孔部分、电连接到第三金属层的上过孔部分以及下过孔部分与上过孔部分之间的线部分。互连线的上部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐减小，并且互连线的下部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐增大。

公开(公告)号：CN114823612A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210089512.4

申请日：2022-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪元赫 ,  李義福 ,  金洛焕 ,  张宇镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了一种半导体装置，其包括：衬底上的晶体管；第一金属层，其在晶体管上，并且包括电连接至晶体管的下布线；以及第一金属层上的第二金属层。第二金属层包括电连接至下布线的上布线，并且上布线包括穿通孔中的穿通件结构以及线沟槽中的线结构。穿通件结构包括：穿通件部分，位于穿通孔中，并且联接至下布线；以及阻挡件部分，其从穿通件部分竖直地延伸，以覆盖线沟槽的内表面。阻挡件部分在线结构与第二金属层的层间绝缘层之间。阻挡件部分在其下部水平处比在其上部水平处更厚。