公开(公告)号：CN116417508A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211663612.X

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京旭 ,  刘承勇 ,  李義福 ,  金镇南 ,  郑恩志

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

Abstract: 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：下线结构；上层间绝缘膜，其设置在下线结构上并且具有形成在其中的沟槽，其中，沟槽包括布线沟槽和从布线沟槽延伸到下线结构的穿通件沟槽；以及上线结构，其设置在沟槽中，其中，上线结构包括上势垒膜和上填充膜。上填充膜包括与上层间绝缘膜接触的第一子填充膜和设置在第一子填充膜上的第二子填充膜。第一子填充膜填充整个上穿通件沟槽并且覆盖上布线沟槽的底表面的至少一部分。

公开(公告)号：CN118412341A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311636626.7

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田浩润 ,  刘承勇

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

Abstract: 提供了一种集成电路器件，包括设置在衬底上的下绝缘结构、在垂直方向上穿过下绝缘结构的下布线结构、设置在下绝缘结构上的上绝缘结构、以及在垂直方向上穿过上绝缘结构并接触下布线结构的上布线结构。上布线结构包括上金属插塞和上导电阻挡结构，上导电阻挡结构围绕上金属插塞的侧壁和下表面。上导电阻挡结构包括面向上绝缘结构的侧壁的第一阻挡部分和介于下布线结构和上金属插塞之间的第二阻挡部分。第一阻挡部分和第二阻挡部分具有彼此不同的结构。

公开(公告)号：CN116207070A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211395917.7

申请日：2022-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  刘承勇 ,  郑恩志

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供了一种能够改善元件性能和可靠性的半导体装置。该半导体装置包括：下布线结构；上层间绝缘层，设置在下布线结构上且包括上布线沟槽，上布线沟槽暴露下布线结构的部分；以及上布线结构，包括上衬和在上布线沟槽中在上衬上的上填充层，其中，上衬包括沿着上布线沟槽的侧壁延伸的侧壁部和沿着上布线沟槽的底表面延伸的底部，上衬的侧壁部包括钴(Co)和钌(Ru)，并且上衬的底部由钴(Co)形成。

公开(公告)号：CN112563242A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010776850.6

申请日：2020-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘承勇 ,  李钟振 ,  金洛焕 ,  郑恩志 ,  洪元赫

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。

公开(公告)号：CN114121934A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110532732.5

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  金京旭 ,  金洛焕 ,  刘承勇 ,  郑恩志

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘层；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中。上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分。过孔部分包括阻挡图案和导电图案。阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡层以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡层。第一阻挡层的电阻率比第二阻挡层的电阻率大。第一阻挡层中的氮浓度比第二阻挡层中的氮浓度大。