公开(公告)号：CN1913128A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610121251.0

申请日：2006-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉周 ,  申宪宗 ,  姜熙晟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成双金属镶嵌金属布线图案的方法，其包括在集成电路衬底上形成第一金属布线图案；以及在第一金属布线图案上形成蚀刻停止层。这些步骤之后是在蚀刻停止层上形成电绝缘层并在电绝缘层上形成金属间介电层的步骤。通过依次选择性蚀刻金属间介电层和电绝缘层，在其中界定暴露出蚀刻停止层的第一部分的开口。开口可以包括沟槽和从沟槽的底部向下延伸的通孔。在通孔的侧壁上并直接在蚀刻停止层的第一部分上形成第一阻挡金属层。从蚀刻停止层的第一部分选择性地去除部分第一阻挡金属层。接着通过以充分的时间选择性地去除蚀刻停止层的第一部分，暴露出部分第一金属布线图案。在开口中形成第二金属布线图案以完成双金属镶嵌结构。

公开(公告)号：CN1913128B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200610121251.0

申请日：2006-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉周 ,  申宪宗 ,  姜熙晟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成双金属镶嵌金属布线图案的方法，其包括在集成电路衬底上形成第一金属布线图案；以及在第一金属布线图案上形成蚀刻停止层。这些步骤之后是在蚀刻停止层上形成电绝缘层并在电绝缘层上形成金属间介电层的步骤。通过依次选择性蚀刻金属间介电层和电绝缘层，在其中界定暴露出蚀刻停止层的第一部分的开口。开口可以包括沟槽和从沟槽的底部向下延伸的通孔。在通孔的侧壁上并直接在蚀刻停止层的第一部分上形成第一阻挡金属层。从蚀刻停止层的第一部分选择性地去除部分第一阻挡金属层。接着通过以充分的时间选择性地去除蚀刻停止层的第一部分，暴露出部分第一金属布线图案。在开口中形成第二金属布线图案以完成双金属镶嵌结构。