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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN114975350A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210090283.8

申请日：2022-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴德汉 , 朴柱勋 , 严命允 , 李睿智 , 郑润永

IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有第一电源区、第二电源区以及单元区。所述单元区在所述第一电源区与所述第二电源区之间延伸。设置在所述单元区内并排延伸的第一有源区和第二有源区。设置在所述第一电源区内在第一方向上延伸的第一电源线路。设置连接所述第一有源区和所述第二有源区的第一源/漏接触部。设置连接所述第一有源区和所述第一电源线路的第二源/漏接触部。所述第一源/漏接触部包括：第一凹陷部，被设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间的中间区内。

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