公开(公告)号：CN1293452A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN00134717.9

申请日：2000-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泰绪 ,  朴文汉 ,  朴暻媛 ,  李汉信

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 提供了一种通过使沟道顶部边缘圆形化并增加沟道顶部边缘的氧化物量来防止驼峰现象和晶体管的反相窄宽度效应的沟道隔离结构,具有该结构的半导体器件以及沟道隔离方法。在该沟道隔离方法中,在半导体衬底的非作用区域内形成一个沟道。沟道内壁上形成厚度在10—150埃之间的内壁氧化物薄膜。在内壁氧化物薄膜的表面形成一个衬层。用介质薄膜填充沟道。蚀刻部分衬层,使得该氮化硅衬层的顶端可以从半导体衬底的表面凹进。

公开(公告)号：CN1194400C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00134717.9

申请日：2000-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泰绪 ,  朴文汉 ,  朴暻媛 ,  李汉信

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 提供了一种通过使沟槽顶部边缘圆形化并增加沟槽顶部边缘的氧化物量来防止驼峰现象和晶体管的反相窄宽度效应的沟槽隔离结构，具有该结构的半导体器件以及沟槽隔离方法。在该沟槽隔离方法中，在半导体衬底的非有源区域内形成一个沟槽。沟槽内壁上形成厚度在10-150埃之间的内壁氧化物膜。在内壁氧化物膜的表面形成一个衬层。用介质膜填充沟槽。蚀刻部分衬层，使得该氮化硅衬层的顶端可以从半导体衬底的表面凹进。在沟槽的顶部边缘和半导体基底的表面上形成栅极氧化物膜，位于沟槽顶部边缘的栅极氧化物膜比位于半导体基底表面上的栅极氧化物膜厚，且与介质膜间隔开。