公开(公告)号：CN1267982C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02120222.2

申请日：2002-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载润 ,  朴文汉 ,  安东浩 ,  洪锡薰 ,  朴暻媛 ,  李正守

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供一种半导体器件的隔离方法，其中绝缘掩模层形成在半导体衬底的预定区域上。采用绝缘掩模层做掩模，在半导体衬底中形成预定深度的沟槽。在绝缘掩模层上和沟槽的侧壁上形成氧化物层。在氧化物层上形成沟槽衬里层。在形成沟槽衬里层的半导体衬底中的沟槽中形成绝缘填料层，以便填充沟槽。去掉绝缘掩模层。根据该半导体器件的隔离方法，可以减少沿着沟槽的边缘产生凹痕，减少在绝缘掩模层之间的界面产生鸟嘴型氧化物层，并降低漏电流，或提高电特性，如阈值电压。

公开(公告)号：CN1293452A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN00134717.9

申请日：2000-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泰绪 ,  朴文汉 ,  朴暻媛 ,  李汉信

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 提供了一种通过使沟道顶部边缘圆形化并增加沟道顶部边缘的氧化物量来防止驼峰现象和晶体管的反相窄宽度效应的沟道隔离结构,具有该结构的半导体器件以及沟道隔离方法。在该沟道隔离方法中,在半导体衬底的非作用区域内形成一个沟道。沟道内壁上形成厚度在10—150埃之间的内壁氧化物薄膜。在内壁氧化物薄膜的表面形成一个衬层。用介质薄膜填充沟道。蚀刻部分衬层,使得该氮化硅衬层的顶端可以从半导体衬底的表面凹进。

公开(公告)号：CN1194400C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00134717.9

申请日：2000-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泰绪 ,  朴文汉 ,  朴暻媛 ,  李汉信

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 提供了一种通过使沟槽顶部边缘圆形化并增加沟槽顶部边缘的氧化物量来防止驼峰现象和晶体管的反相窄宽度效应的沟槽隔离结构，具有该结构的半导体器件以及沟槽隔离方法。在该沟槽隔离方法中，在半导体衬底的非有源区域内形成一个沟槽。沟槽内壁上形成厚度在10-150埃之间的内壁氧化物膜。在内壁氧化物膜的表面形成一个衬层。用介质膜填充沟槽。蚀刻部分衬层，使得该氮化硅衬层的顶端可以从半导体衬底的表面凹进。在沟槽的顶部边缘和半导体基底的表面上形成栅极氧化物膜，位于沟槽顶部边缘的栅极氧化物膜比位于半导体基底表面上的栅极氧化物膜厚，且与介质膜间隔开。

公开(公告)号：CN1387248A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02120222.2

申请日：2002-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载润 ,  朴文汉 ,  安东浩 ,  洪锡薰 ,  朴暻媛 ,  李正守

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供一种半导体器件的隔离方法,其中绝缘掩模层形成在半导体衬底的预定区域上。采用绝缘掩模层做掩模,在半导体衬底中形成预定深度的沟槽。在绝缘掩模层上和沟槽的侧壁上形成氧化物层。在氧化物层上形成沟槽衬里层。在形成沟槽衬里层的半导体衬底中的沟槽中形成绝缘填料层,以便填充沟槽。去掉绝缘掩模层。根据该半导体器件的隔离方法,可以减少沿着沟槽的边缘产生凹痕,减少在绝缘掩模层之间的界面产生鸟嘴型氧化物层,并降低漏电流,或提高电特性,如阈值电压。