公开(公告)号：CN109326605B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201810788922.1

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊瑛 ,  金伸泳 ,  孙仑焕 ,  李栽姃 ,  金俊成 ,  李承民

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35

Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN109326605A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810788922.1

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊瑛 ,  金伸泳 ,  孙仑焕 ,  李栽姃 ,  金俊成 ,  李承民

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。