公开(公告)号：CN118484911A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410039911.9

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安在湜 ,  吴东益 ,  阮成纲 ,  林宣泽 ,  李昇玟 ,  张印国 ,  全柱炫

IPC: G06F30/20 ,  C23C14/34 ,  C23C16/50 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  G16C20/10

Abstract: 提供等离子体工艺模拟方法以及包括其的半导体器件制造方法，所述等离子体工艺模拟方法包括：定义晶片的等离子体反应，计算等离子体反应的反应参数，以及基于计算的反应参数生成等离子体工艺模拟曲线图。反应参数基于物理反应和化学反应来设置。

公开(公告)号：CN117935947A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311355437.2

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 阮成纲 ,  朴智暎 ,  金贞儿 ,  李昇玟 ,  张印国

IPC: G16C20/10

Abstract: 公开了发掘光致抗蚀剂溶解剂的方法和系统。所述方法包括：获得限定配体材料的输入数据；基于所述输入数据估计配体交换反应的反应能量，在配体交换反应中，包括第一金属和第一配体的第一络合物的第一配体与第二配体交换；基于物理模型估计与反应能量对应的第一金属的残余浓度；以及基于所述残余浓度验证提供第二配体的光致抗蚀剂溶解剂。

公开(公告)号：CN111880375B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN201911364910.7

申请日：2019-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  李昇玟 ,  林宣泽

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。

公开(公告)号：CN111880375A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201911364910.7

申请日：2019-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  李昇玟 ,  林宣泽

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。