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发明公开
等离子体工艺模拟方法以及包括其的半导体器件制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118484911A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410039911.9

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安在湜 , 吴东益 , 阮成纲 , 林宣泽 , 李昇玟 , 张印国 , 全柱炫

IPC: G06F30/20 , C23C14/34 , C23C16/50 , C23C14/54 , C23C16/52 , G16C20/10

Abstract: 提供等离子体工艺模拟方法以及包括其的半导体器件制造方法，所述等离子体工艺模拟方法包括：定义晶片的等离子体反应，计算等离子体反应的反应参数，以及基于计算的反应参数生成等离子体工艺模拟曲线图。反应参数基于物理反应和化学反应来设置。

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