公开(公告)号：CN116419561A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211649713.1

申请日：2022-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔训诚 ,  李旼旭

IPC: H10B10/00 ,  G11C11/412

Abstract: 本公开涉及集成电路和静态随机存取存储器。在一实施方式中，一种集成电路包括第一n型金属氧化物半导体(NMOS)区、第二NMOS区、在第一NMOS区和第二NMOS区之间的第一p型MOS(PMOS)区、在第一PMOS区和第二NMOS区之间的第二PMOS区、以及在第一方向上延伸并将第一NMOS区联接到第一PMOS区的第一有源桥。第一有源桥的水平与第一传输晶体管的第一电极的水平、第一传输晶体管的第二电极的水平、第一下拉晶体管的第一电极的水平、第一下拉晶体管的第二电极的水平、第一上拉晶体管的第一电极的水平和第一上拉晶体管的第二电极的水平相同。

公开(公告)号：CN115688665A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210523041.3

申请日：2022-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金智镐 ,  权敏赫 ,  前田茂伸 ,  徐周役 ,  李旼旭

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398

Abstract: 提供了一种非暂时性计算机可读介质、计算装置和优化半导体制造工艺的方法。程序代码在由处理器执行时，使处理器：将包括与半导体制造工艺相关联的多个参数的制造数据输入到框架，以生成用于分析制造数据的第一类；从多个参数提取针对分析的第一参数和与第一参数相关联的第二参数，并且生成用于分析第一参数的第二类作为第一类的子类；将第一参数和第二参数修改为具有适于存储在第二类中的格式的数据结构，以便存储在第二类中；对第一参数和第二参数执行数据分析；将第一参数和第二参数转换为对应的张量数据；以及将张量数据输入到机器学习模型。