公开(公告)号：CN104241142A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410095174.0

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  李哲雄 ,  金泰善 ,  朴商德 ,  尹范濬 ,  河泰元

IPC: H01L21/441

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。