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公开(公告)号:CN112490198A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN202010835756.3
申请日:2020-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李世容
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括包含第一贯穿电极的第一半导体芯片。第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上。第二半导体芯片包括第二贯穿电极。多个导电凸块置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。导电凸块将第一贯穿电极和第二贯穿电极彼此电连接。填充支撑层至少部分地覆盖第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的第一表面,并且至少部分地填充导电凸块之间的空间。粘合层设置在填充支撑层上,至少部分地填充导电凸块之间的所述空间并且将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此粘附。
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公开(公告)号:CN116031214A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202211301142.2
申请日:2022-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/16 , H01L25/065 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种半导体装置、半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体装置包括:多个半导体芯片,其在竖直方向上堆叠在衬底上;填充物结构,其包括形成在多个半导体芯片中的邻近的半导体芯片之间以及衬底与半导体芯片的堆叠件之间的多个水平底部填充层,并且包括形成在水平底部填充层和多个半导体芯片周围的底部填充侧壁;以及模制树脂,其至少在半导体芯片的侧表面上包围多个半导体芯片。底部填充侧壁包括凹陷图案,凹陷图案设置在多个半导体芯片中的至少一个的侧表面上并且沿着多个半导体芯片中的至少一个的侧表面设置,并且在凹陷图案与衬底交汇的位置处在平行于衬底的上表面的方向上凹进。
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