公开(公告)号：CN114256269A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110836683.4

申请日：2021-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高秉贤 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  权容真 ,  金振赫 ,  孙洪翼

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列和延伸区域；栅电极结构，具有沿第一方向堆叠的栅电极；沟道，在单元阵列区域上穿过栅电极结构；第一划分图案，在单元阵列和延伸区域上沿第二方向延伸，该第一划分图案位于栅电极结构在第三方向上的相对侧；绝缘图案结构，在延伸区域上部分地穿过栅电极结构；通孔，穿过绝缘图案结构；以及支撑层，在栅电极结构上并在单元阵列和延伸区域上延伸，该支撑层接触第一划分图案的上侧壁，并且该支撑层不接触延伸区域上的第一划分图案与绝缘图案结构相邻的部分的上表面。

公开(公告)号：CN113451322A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110022072.6

申请日：2021-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 ,  高秉贤 ,  权容真 ,  申重植 ,  尹健郁

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；堆叠结构，包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，该沟道孔在垂直方向上穿透堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透下导电层和堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在侧绝缘层与中央绝缘层之间的居间导电层和在公共源极线沟槽的上部处的上导电层。

公开(公告)号：CN114639684A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111534109.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  高秉贤 ,  权容真 ,  申重植

IPC: H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：模制结构，包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和栅电极；沟道结构，穿透模制结构并且与栅电极相交；块分离区域，沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割模制结构；第一坝区域和第二坝区域，彼此间隔开，在平面图中均具有闭合环并且均切割模制结构；垫绝缘膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，与模制绝缘膜交替地堆叠，并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及贯穿过孔，穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，位于位于第一坝区域中但是不位于第二坝区域中。

公开(公告)号：CN112652628A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010802422.6

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承砇 ,  高秉贤 ,  权容真 ,  金江旻 ,  申载勋 ,  申重植 ,  安圣洙 ,  李承桓

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。