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公开(公告)号：CN119990041A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410708167.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/327
Abstract: 提供了半导体集成电路、其制造方法和半导体装置。所述半导体集成电路包括第一区域和除了第一区域之外的剩余区域。所述制造方法包括：将标准单元布局在剩余区域中；生成将标准单元连接的布线结构；基于预定义的设计规则将子电力抽头单元布局在第一区域中；以及验证子电力抽头单元和标准单元是否符合预定义的设计规则。
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