-
公开(公告)号：CN1959960A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143280.7
申请日：2006-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/762 , H01L21/336 , H01L27/115 , H01L29/788
Abstract: 一种非易失性存储器件的制造方法，包括制备包括单元阵列区的半导体衬底。该方法还包括通过刻蚀该半导体衬底，在单元阵列中形成凹陷区。该方法包括，至少刻蚀部分该半导体衬底和形成不同深度的第一和第二沟槽，该半导体衬底部分地包括凹陷区，该第一和第二沟槽交叉该凹陷区以及互相连接。该方法包括，通过在第一和第二沟槽中填充绝缘材料，形成具有粗糙底部并限定有源区的器件隔离层。该方法包括，在包括凹陷区的有源区的半导体衬底上形成栅绝缘层，以及在该栅绝缘层上形成栅极结构，以填充该凹陷区，该栅极结构包括浮栅、栅间绝缘图形以及控制栅。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
